新设备推介：8英寸LPCVD-Poly Si（B301）
2025-03-28
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1、设备原理：
LPCVD（低压化学气相沉积，Low Pressure Chemical Vapor Deposition）多晶硅（Poly Si）工艺是在600℃-700℃温度下，低于标准大气压的环境中，通过SiH4热分解反应，在样品表面沉积Poly Si薄膜。2、设备亮点：
本设备具有高均匀性、高产能、先进的控制系统和多功能性的特点。单次50片8英寸Poly Si薄膜厚度不一致性≤±3%，石英材质的内管使其拥有500℃-900℃的可精准控制的工艺温度，能够兼容的材料种类较多。前后双工艺气体管路能够保证薄膜的均匀性不受样品数量影响，设备设计优化，能够保证批次间的沉积结果高度一致性。3、主要用途：
LPCVD制备的Poly Si在微电子和微纳加工领域具有广泛的应用，可用于结构层、牺牲层、钝化层、掩膜层、绝缘层和阻挡层等。
▋▍技 术 指 标
1、升/降温速率：3℃/min-5℃/min
2、极限真空：小于5mTorr
3、工艺控压范围：100mTorr-800mTorr
4、设备工艺温度：500℃-850℃
5、工艺气体：SiH4、PH3、N2
6、样品尺寸：标准6、8英寸
▋▍工 艺 示 例
样品放置及薄膜应力测试结果如下所示
