佳能首次将纳米压印光刻技术应用于晶圆平坦化技术， 显著提高了先进半导体制造所需的平整度

2026年1月13日，佳能率先在全球范围内开发并实现了*1 “基于喷墨技术的自适应平坦化”（IAP，Inkjet-based Adaptive Planarization）技术的商业化，该技术运用纳米压印光刻（NIL）技术来平坦化晶圆。佳能的目标是在2027年前将采用IAP技术的设备商业化，用于逻辑电路和存储器等先进半导体制造工厂。

在半导体制造中，平坦化是均匀去除薄膜沉积和布线等工艺过程中产生的表面不规则性的关键步骤。尤其随着小型化和3D半导体技术的进步，晶圆表面即使存在微小的不规则性也会导致CD *2误差和图案边缘错位，从而显著影响良率和生产效率。因此，对更高精度平坦化技术的需求也日益增长。目前主流的平坦化方法包括旋涂（通过形成薄膜来平滑表面）和化学机械抛光（CMP，需要反复抛光）。然而，这些方法都存在工艺复杂和成本高昂的问题。

佳能开发了NIL技术，该技术利用喷墨方式将刻有电路图案的掩模（模具）喷涂到涂覆有光刻胶（树脂）的晶圆上，然后像盖章一样将其压在晶圆上，从而转移电路图案。佳能于2023年10月推出了半导体制造设备“FPA-1200NZ2C”。新开发的IAP技术将NIL技术应用于平坦化工艺。平坦化材料（树脂）根据晶圆表面的不均匀分布情况，通过喷墨方式进行优化定位，然后将一块平坦的玻璃板压在上面。这使得无论不均匀程度或电路图案的差异如何，都能在一次压合过程中高精度地平坦化直径300mm晶圆的整个表面。晶圆表面的不均匀度可以降低到5nm甚至更低，从而获得更均匀的层状结构，这对于后续工艺至关重要。

佳能将继续推进半导体制造技术和设备相关的研究与开发，为半导体的发展和制造现场生产效率的提高做出贡献。

*1 截至 2026 年 1 月 12 日（根据佳能公司数据）。

*2 关键尺寸。影响半导体器件性能的最小电路尺寸。

佳能公司和佳能纳米技术公司将在 2026 年 2 月 25 日星期三于圣何塞会议中心举行的 SPIE 先进光刻和图案化会议上展示 IAP 技术及初步实际应用成果。

文章来源：https://global.canon/ja/news/2026/20260113-2.html